占集成电路约三分之一的存储芯片被以为是半导体阛阓的晴雨表。AI催化、消费电子行情低迷两股力量拉扯下色五月第二季，存储行情近期走出了分化。

近日接受第一财经记者采访时，头部NAND Flash主控芯片厂商慧荣科技末端与车用存储业务群资深副总段喜亭示意，因AI需求推动，上半年数据中心需求至极火热，一方面需要HBM（高带宽内存）将数据快速交给处治器运算，另一方面又需要大容量SSD（固态硬盘）存储多数数据。

HBM由多个DRAM颗粒（动态随即存储器）堆叠而成，着实是高性能AI芯片的刚需，最早被AI催化，SSD则由NAND Flash颗粒（一种非易失性存储介质，下称闪存）制成，两种颗粒占据了最主要的存储芯片阛阓。但在可见的数据中心火热需求下，阛阓需求其实分拨不均。段喜亭告诉记者，上半年原厂闪存颗粒价钱执续高潮，消费电子末端价钱却出现脱节。其背后，消费末端零卖阛阓需求至极惨淡，要靠数据中心的需求弥补来支执原厂闪存颗粒加价。这种情况下，下半年闪存颗粒能涨若干还需不雅察。

在冷热的两头，一边是DRAM厂商火热扩产HBM、NAND Flash厂商推动价钱回涨，另一边消费电子“寒潮”未十足退去。阛阓需求青黄不接之际，另一些由AI带来的真切变化正在发生。

存储行情冷热不均

行情上看，HBM需求仍在走高。据SEMI（海外半导体产业协会）近日汇报，来自晶圆厂开荒部门的销售额瞻望将在2024年增长2.8%，达到980亿好意思元，高于此前预测，原因包括业内多数投资DRAM和HBM。

几大DRAM厂商仍在比拼扩产。SK集团近日示意，旗下半导体子公司SK海力士盘算到2028年投资103万亿韩元，其中约80%的金额将用于投资HBM。另有音讯称，好意思光正在好意思国开发HBM测试产线与量产线，盘算在2025年将HBM市占率提高至20%傍边。

记者了解到，扩产已平逐渐解HBM产能紧缺的景色。“HBM本事迭代速率至极快，下半年主要蚁集在HBM3e的需求上。总体来看，HBM依然处于供不应求的状态。但在搭载HBM3的英伟达H100芯片中，也曾不雅察到其周期拘谨至一个季度的趋势。” TrendForce集邦运筹帷幄分析师王豫琪告诉记者。

不外，HBM除外，存储行情存在分化。因AI磨砺等门径需存储多数数据，闪存居品在数据中心的需求也有所增长，但闪存另一大期骗范围消费电子仍显疲态。据IDC数据，本年第二季度大家PC出货量同比增长3%至6490万台，第一季度大家智妙手机出货量同比增长7.8%至2.89亿台，但两者出货量均不足2022年同期。

需求响应至闪存颗粒价钱。“上半年闪存颗粒价钱拉升得至极快，数据中心所需居品供不应求。但现在看，下半年消费电子末端零卖阛阓照旧不够好。闪存原厂是不是会络续加价，要看数据中心下半年还有多大能源购买存储居品。我以为下半年闪存颗粒加价幅度会拘谨，但还概略情会拘谨若干。”段喜亭告诉记者。

从现货闪存颗粒价钱看，TrendForce集邦运筹帷幄分析师敖国锋则告诉记者，闪存原厂资格旧年大幅蚀本后，本年要紧主张是兑现或加多盈利，尤其在本年产能未大幅推广的情况下，闪存价钱执续高潮。但由于现货阛阓需求欠安，现货价钱并未像原厂价钱那样积极高潮。

集邦运筹帷幄预测，第三季度Enterprise（企业）SSD受惠于AI扩大使用，但消费电子需求执续颓丧。预测NAND Flash均价涨幅将从第二季度的15%~20%拘谨至第三季度的5%~10%。

虽未平直坐褥存储颗粒，国内多家企业业务也与存储系统、存储模组、SSD等有关。资格行情回暖的上半年并面对需求未十足详情的下半年，闪存有关厂商的功绩和股价有所反应。

从功绩看，同有科技、佰维存储近日预报了本年上半年净利润同比扭亏，辩认瞻望盈利0.4亿元~0.52亿元和2.8亿元~3.3亿元，江波龙也预报上半年同比扭亏，盈利5.2亿元~6.1亿元。从股价看，同有科技、朗科科技、江波龙和佰维存储本年事首齐曾有过一波股价拉升，年内盘中股价高点辩认定格在3月、3月、4月和7月初，但高点后，股价便执续波动或有所下滑。

AI改动了行业竞争

数据中心和消费电子末端齐濒临AI算力耗尽带来的能源问题。使用电板且无法如数据中心不异吸收液冷等援手方法的消费电子末端，对存储居品的功耗条件更加严格。段喜亭告诉记者，AI的“风”要从数据中心“吹”到消费末端开荒濒临三大挑战，包括胁制末端能耗、放松大讲话模子和裁减老本。

存储厂商的竞争已从更快数据传输速率、更大存储容量“打”到了更节能。记者近日从三星电子了解到，三星在联发科下一代天玑移动平台完成了其最快的LPDDR5X DRAM考据，该居品便凸起了能耗裁减对具备AI功能的移动开荒的稳健。闪存和SSD厂商铠侠此前告诉记者，铠侠在鼓舞大容量的同期也会发力低功耗、省电。铠侠本月开动送样的2TB四级单元（QTC）存储器也强调了功耗推崇和对AI场景的稳健。

节能的条件对闪存居品主控芯片厂商而言，一定历程上则成为高制程的比拼。不同于通过3D堆叠提高存储密度、不太强调先进制程的存储颗粒，闪存居品上还有一颗需要依靠制程跨越提高性能的主控芯片。记者了解到，应AI场景的高性能和低功耗条件，这颗主控芯片也开动迈向高制程。

“曩昔咱们评估主控芯片是非主要看速率，但在AI期间，咱们看的是单元瓦数里的数据传输速率。这对主控芯片厂商来说组成了更高门槛。咱们最新推出的居品也曾用到台积电6nm EUV制程。参预6nm乃至5nm、3nm，厂商投资将会至极远大，行业竞争门槛更高了。”段喜亭告诉记者，英伟达AI芯片迭代速率基本是一年推出一颗，闪存主控芯片与之相似，迭代速率加速后，主控芯片厂商需要计划自己是否有充足的财力执续进行研发投资。

“为欣喜AI干事器对节能和散热的条件，越来越多厂商开动吸收6~12nm制程开发SSD主控。这不仅大幅提高了开发资金的门槛（瞻望开发6/7nm制程所需资金约为2千万~3千万好意思元），同期也使筹商本事变得更加复杂。这些身分将会拉大主控厂商之间的竞争态势。” 敖国锋也告诉记者。

不管是干事器照旧消费电子末端，为稳健AI责任负载而使用更快的HBM、更大容量的闪存居品和先进制程的闪存主控芯片齐可能拉高老本。阛阓筹商机构TechInsights近日汇报就指出，AI将推动芯片平均价钱高潮。

诚然闪存颗粒下半年是否络续加价存在概略情味，但受益于AI对先进制程芯片的刚烈需求，代工龙头台积电加价似乎更具详情味。台积电本年6月便传出针对部分先进制程芯片加价。业内东说念主士告诉记者，台积电加价是基于在先进制程范围的订价权，在竞争压力较大的老到制程范围不太敢走漏加价，而先进制程加价现在还没看到停驻来的迹象。

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郑栩彤

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